溶胶凝胶法制备透明IZO薄膜晶体管

摘要：

采用溶胶凝胶法制备了非晶钢锌氧化物(a-IZO)薄膜,并作为薄膜晶体管(TFT)的有源层制备了a-IZO TFT.研究了IZO薄膜中铟锌比对薄膜性质及a-IZO TFT器件性能的影响.结果表明:溶胶凝胶法制备的IZO薄膜经低温(300℃)退火后为非晶结构,薄膜表面均匀平整、致密,颗粒大小为20 nm左右,并具有高透过率(＞85％).IZO薄膜中的铟锌比对薄膜的电学性能和TFT器件特性影响显著,增加In含量有利于提高薄膜和器件的迁移率.当铟锌比为3∶2时,所获得的薄膜适合于作为薄膜晶体管的有源层,制备的IZO-TFT经过相对低温(300℃)退火处理具有较好的器件性能,阈值电压为1.3V,载流子饱和迁移率为0.24 cm2·V-1·s-1,开关比(Ⅰon∶Ⅰoff)为105.

关键词：溶胶凝胶法、铟锌氧化物薄膜、薄膜晶体管、低温

所属期刊栏目：34

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61006005;上海市科学技术委员会项目10dz1100102

在线出版日期：2013-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：208-212