p型CuInS2花状微球的液相可控合成及其电学性能表征

摘要：

以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,在乙二醇(EG)中进行溶剂热反应,成功合成了四方晶系CuInS2花状微球.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)以及紫外-可见吸收光谱等表征其形貌、结构及成分,并构建了基于其的底栅型场效应器件(Back-gate FET).实验结果表明:p型CuInS2微球所需合成温度为200℃,禁带宽度为1.62 eV,电导率约为2 S·cm-1.CuInS2微球有望用于低耗、高效CuInS2基光伏器件的制备.

关键词：CuInS2、微球、场效应器件、光伏器件

所属期刊栏目：34

分类号：O611.6(无机化学)

资助基金：国家自然科学基金青年基金20901021

在线出版日期：2013-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：154-159