具有三角形InGaN/GaN多量子阱的高内量子效率的蓝光LED
对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究.分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论分析.对具有不同量子阱数量的InGaN/GaNLED进行了理论数值比对研究.研究结果表明,对于传统结构的LED而言,2个量子阱的结构相对于5个和7个量子阱具有更好的光学性能.同时还研究了具有三角形量子阱结构的LED,研究结果显示,三角形多量子阱结构具有较高的电致发光强度、更高的内量子效率和更好的发光效率,所有的优点都归因于较高的电子-空穴波函数重叠率和低的Stark效应所产生的较高的载流子输入效率和复合发光效率.
发光二极管、三角形量子阱、数值模拟
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TM23;O242.1(电工材料)
国家自然科学基金61176043;广东省战略性新兴产业专项资金2010A081002005,2011A081301003;广东省教育部产学研结合项目20108090400192
2013-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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66-72
