量子阱数量变化对InGaN/AlGaN LED的影响

摘要：

采用软件理论分析的方法分析了InGaN/AlGaN量子阱数量变化对发光二极管内量子效率、电子空穴浓度分布、载流子溢出产生的影响.分析结果表明:量子阱的个数不是越多越好,LED的光学性质和量子阱的个数并不成线性关系.量子阱个数太少时,电流溢出现象较明显；而当量子阱个数太多时,极化现象明显,且会造成材料浪费.因此应根据工作电流选择合适的量子阱个数.

关键词：量子阱数量、数值模拟、InGaN/AlGaN发光二极管、大功率

所属期刊栏目：33

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：省部产学研结合引导项目2009B090300338,2010B090400192;省战略性新兴产业专项资金LED产业项目2010A081002005;国家自然科学基金61176043

在线出版日期：2013-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1368-1372