离子辅助沉积法制备SiO2介质薄膜的应力研究
在高功率垂直腔面发射激光器制作工艺中,生长出低应力、高质量、高稳定性的SiO2介质层非常关键.我们使用高效率LaB6离子源辅助,在低放电电流条件下,在GaAs衬底上沉积了SiO2,并对退火的应力影响进行了测试.在有离子辅助沉积时,对不同生长速率、不同厚度的应力影响进行了研究,对沉积过程进行了分析.结果表明:离子辅助沉积的SiO2薄膜的应力远小于常规工艺条件下沉积的薄膜的应力,且退火后应力变化小.
离子辅助沉积、SiO2薄膜、应力、退火
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O484(固体物理学)
国家基金重点项目60876036,51172225
2013-01-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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