新型透明导电薄膜ErF3掺杂In2O3的研制

摘要：

利用电子束沉积技术首次制备了氟化铒(ErF3)掺杂的氧化铟(In2O3)透明导电薄膜(IEFO),研究了薄膜的晶体结构、光学特性和电学特性.利用原子力显微镜测试了不同厚度薄膜的形貌,初步研究了薄膜的生长过程.研究发现:IEFO薄膜为多晶结构,Er原子的掺入改变了薄膜的优势生长方向,使薄膜在(211)、(222)、(444)3个方向上的生长趋势基本相同.薄膜电阻率为1.265×10-3 Ω·cm,电子迁移率为45.76 cm2·V-1·s-1,电子浓度为1.197×1020 cm-3,在380 ～ 780 nm范围内的可见光平均透过率为81％.

关键词：透明导电薄膜、形貌、氧化铟

所属期刊栏目：33

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金51102228;吉林省科技发展计划20100570

在线出版日期：2013-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1295-1298