用反应溅射法沉积SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT的光照稳定性
制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT,并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性,主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况.结果表明,器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大,而在正偏压光照情况下的阈值偏移几乎可以忽略.采用C-V方法证明阈值电压漂移是源于绝缘层/有源层附近及界面处的缺陷.另外,采用指数模式计算了缺陷态的弛豫时间.本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏压下的不稳定的原因.
薄膜晶体管、稳定性、反应溅射SiOx
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O472.4(半导体物理学)
国家自然科学基金61274082,61077013,60777018,60776040;国家"863"计划2010AA3A337,2008AA03A336;中国博士后基金2012T50387,2011M500569
2013-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
1258-1263
