大功率LED的电流老化特性分析
基于一体化封装技术,先将铝基板进行硬质阳极氧化处理使其绝缘,后将蓝光LED芯片直接封装到铝基板上,分别制成大功率白光和蓝光LED,其中白光LED由蓝光芯片涂覆YAG∶ Ce荧光粉制成.将白光和蓝光LED分别用500 mA和700 mA电流加速老化1 000 h,平均每间隔24 h测试其各种光学参数,对比蓝光LED与白光LED的衰减情况.白光LED的光通量衰减比蓝光严重,但白光光功率的衰减比蓝光慢.LED的衰减分为两个阶段:第一阶段芯片与荧光粉同时衰减;第二阶段主要是芯片的衰减,荧光粉衰减较慢.
一体化封装、LED、老化、失效分析
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TN312.8(半导体技术)
国家自然科学基金61076066;陕西省科技统筹创新工程计划2011KTCQ01-09
2013-01-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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