柔性衬底上ALD法低温制备的ZnO薄膜的光学和电学特性
以二乙基锌和水分别作为金属前驱体和反应物,利用原子层沉积方法(ALD)在柔性衬底上生长ZnO薄膜,讨论了生长温度对薄膜特性的影响.用AFM、XRD和HALL等对薄膜的表面形貌、晶体结构和电学性质进行表征,并且用PL光谱表征了其光学特性.实验结果表明,随着生长温度(低温下)的升高,薄膜的晶体质量和光学特性得到改善.当生长温度为170℃时,薄膜呈现良好的c轴择优取向,且具有较高的电子浓度(5.62×1019 cm-3)和电子迁移率(28.2 cm2·V-1·s-1).
ZnO、ALD、生长温度、柔性衬底
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O484.4(固体物理学)
国家自然科学基金61006065,61076039,61204065,61205193,10804071;吉林省科技发展计划20090139,20090555,20121816,201201116;高功率半导体激光国家重点实验室基金9140C310101120C031115;高等学校博士学科点专项科研基金21022216110002,20102216110001,20112216120005;吉林省自然科学基金20101546;吉林省教育厅项目2011JYT05,2011JYT10,2011JYT11;长春市国际科技合作计划项目2010CC02;吉林农业大学科研启动基金201238
2013-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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