溅射气压对非晶Hg1-xCdxTe薄膜微观结构和化学组分的影响

摘要：

采用射频磁控溅射制备了非晶态结构的Hg1-xCdxTe薄膜,并利用台阶仪、XRD、原子力显微镜、EDS等分析手段对薄膜生长速率、物相、表面形貌、组分比例进行了研究.实验结果表明,溅射气压对薄膜生长速率、微观结构、表面形貌和化学组分有直接影响.随着溅射气压增大,其生长速率逐渐降低.当溅射气压高于1.1 Pa时,薄膜XRD图谱上没有出现任何特征衍射峰,只是在2θ=23°附近出现衍射波包,具有明显的非晶态特征；当溅射气压小于1.1 Pa时,XRD谱表现为多晶结构.另外,随着溅射气压的增加,薄膜表面粗糙度逐渐减小,而且溅射气压对薄膜组成的化学计量比有明显影响,当溅射气压为1.1Pa时,薄膜中Hg的组分比最低,而Cd组分比最高.

关键词：碲镉汞薄膜、非晶半导体、微观结构、表面形貌、磁控溅射

所属期刊栏目：33

分类号：O472.8(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60576069;国家火炬计划2011GH011928

在线出版日期：2013-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1224-1231