外场下压力及屏蔽对无限深量子阱中施主结合能的影响

摘要：

考虑外加磁场、压力及屏蔽效应,利用变分方法数值计算GaN/AlxGa1-xN无限深量子阱系统中的杂质态结合能.给出结合能随磁场和阱宽的变化关系,同时讨论了有无屏蔽时的区别.结果表明:在磁场和压力作用下,结合能随阱宽的增大而减小；阱宽和压力一定时,结合能随磁场的增大而增大.屏蔽效应使得有效库仑吸引作用减弱而导致杂质态结合能显著下降.屏蔽效应对结合能的影响随压力增大而增强,随磁场强度增大而减弱.

关键词：量子阱、压力、外磁场、屏蔽、结合能

所属期刊栏目：33

分类号：O471.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金11062008;教育部新世纪优秀人才支持计划NCET-10-D909;内蒙古工业大学校基金ZD201220;内蒙古自治区自然科学基金2010BS0102

在线出版日期：2013-01-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1198-1203