射频磁控溅射低温制备非晶铟镓锌氧薄膜晶体管

摘要：

利用射频磁控溅射技术室温制备了铟镓锌氧(IGZO)薄膜,采用X射线衍射(XRD)表征薄膜的晶体结构,原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌,分光光度计测量其透光率.结果表明:室温制备的IGZO薄膜为非晶态且薄膜表面均匀平整,可见光透射率大于80％.将室温制备的IGZO薄膜作为有源层,在低温(＜200℃)条件下成功地制备了铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT),获得的a-IGZO-TFT器件的场效应迁移率大于6.0cm2·V-1·s-1,开关比约为107,阈值电压为1.2V,亚阈值摆蝠(S)约为0.9 V/dec,偏压应力测试a-IGZO TFT阈值电压随时间向右漂移.

关键词：非晶铟镓锌氧薄膜、薄膜晶体管、场效应迁移率

所属期刊栏目：33

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61006005;上海市科学技术委员会项目10dz1100102

在线出版日期：2013-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1149-1152