AgOx界面插入层对GZO电极LED器件性能的影响

摘要：

采用磁控溅射的方法在p-GaN上制备了GZO透明导电薄膜,通过在p-GaN和GZO界面之间插入AgOx薄层来改善LED器件的接触性能.研究结果表明:氮气退火后,采用界面插入层的AgO/GZO薄膜电阻率为5.8×10-4Ω·cm,在可见光的透过率超过80％.AgOx界面插入层有效地降低了GZO与p-GaN之间的接触势垒,表现出良好的欧姆接触特性,同时使LED器件的光电性能获得了显著的提高.在50 mA的注入电流下,相比于常规的GZO电极LED器件,AgOx/GZO电极LED器件的正向电压由9.68 V降至6.92 V,而发光强度提高了13.5％.

关键词：LED、界面插入层、GZO电极、欧姆接触

所属期刊栏目：33

分类号：TN301(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金51072111;973计划2011CB013100

在线出版日期：2013-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1127-1131