外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究
采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析.XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/min时样品位错密度最低.利用该TMGa流量进一步制备了改变生长温度的样品.XRD和PL谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能.最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析.
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、非掺杂氮化镓(GaN)、X射线双晶衍射(DCXRD)、光致荧光(PL)光谱
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O484(固体物理学)
国家高技术研究发展计划863计划2008AA03Z402;北京市自然科学基金4102003,4112006,4092007;国家自然科学基金61204011,61107026
2013-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
1084-1088
