高功函数的钛酸镧掺杂氧化铟透明导电薄膜的制备与光电特性研究

摘要：

制备了一种新型的具有高功函数的掺钛酸镧(LaTiO3)的氧化铟(ILTO)三元透明导电氧化物薄膜,并研究了其光电特性.EDX能谱测试结果证实了样品中In、La及Ti的存在,薄膜的掺杂具有良好的均匀性及一致性.由原子力显微镜测试可知,在一个5 μm×5μm的扫描区域内,样品的表面粗糙度(RMS)较小,为1 nm量级.ILTO薄膜在可见光区域的平均透过率超过了85％,其功函数接近于金的功函数(5.2 eV左右),远高于目前商业化的ITO的功函数(4.5 ～4.7 eV).由于导电薄膜的功函数在光电器件中对异质结界面的势垒高度有着直接影响,较高的功函数可以提高载流子的注入及抽取能力,因此采用ILTO作为光电器件的阳极将有望改善器件的性能.

关键词：功函数、掺杂、透明导电薄膜、光致发光

所属期刊栏目：33

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金21104077;吉林省教育厅"十二五"科学技术研究项目;长春师范学院自然科学基金2010第009号

在线出版日期：2013-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1055-1059