碱液修饰对硅纳米线阵列电池光谱响应的影响

摘要：

采用金属催化化学腐蚀法在p型(100)硅基底上制备了硅纳米阵列,然后用碱溶液对纳米线阵列进行修饰.分别研究了碱液修饰对硅纳米线阵列形貌、光电性质的影响.研究表明:与绒面及纳米线阵列相比,碱修饰30 s硅纳米线阵列的表面分散均匀,反射率降低；光谱响应度显著提高,并且出现最大量子效率对应波长红移现象.最后,详细讨论了碱液修饰硅纳米线阵列电池对光谱响应的影响机制.

关键词：碱液修饰、量子效率、光谱响应、表面复合、红移

所属期刊栏目：33

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金11074066;河南省重点科技攻关计划102102210184;河南师范大学校青年基金521

在线出版日期：2012-12-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：996-1000