MOCVD外延生长AlGaAs组份的在线监测

摘要：

利用反射各向异性谱( RAS)和反射谱在线监测了AlxGa1-xAs样品的金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)外延生长过程.通过在线监测得到的RAS和反射谱可以敏感地反映出AlxGa1-xAs外延层组份发生的变化,从而优化外延生长工艺.实验表明,反射谱中的振荡周期可以在线计算组份和生长速率,利用反射谱中的振荡的第一个最小值与A1组份的线性关系,可以确定渐变组份初始值.通过在线计算得到的生长速率和组份与扫描电镜(SEM)和高分辨X射线衍射(HRXRD)测试得到的结果基本吻合.

关键词：Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物、外延生长、金属有机化合物汽相淀积、反射各向异性谱

所属期刊栏目：33

分类号：O76(晶体结构)

资助基金：国家自然科学基金10974012,11074247,61106047,61176045,61106068,51172225,61006054;国家自然科学基金重点项目90923037;长春市科技计划2009145

在线出版日期：2012-12-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：985-990