Rh掺杂的Ru2Si3的电子结构及光学性质

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺Rh原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明:掺入Rh原子使得Ru2Si3的晶胞体积有所增大,Rh替换RuⅢ位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为n型,静态介电函数值为ε1(0) =25.2014,折射率n0的值有所增大为5.02.

关键词：掺杂Ru2Si3、电子结构、光学性质、第一性原理

所属期刊栏目：33

分类号：O471.5;O481.1(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金2908YB013001,110360706023;吉林省自然科学基金201115122

在线出版日期：2012-12-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：960-965