Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响

摘要：

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO (ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得.通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响.利用原子力显微镜( AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试和透射谱分析等测试手段对ZAZ多层膜的性质进行了分析.测试结果表明,在200℃下对Au夹层进行快速退火处理,多层膜的结构、电学和光学性质达到最优,表面等离子体效应也更明显.其中,XRD(002)衍射峰的半高宽为0.14°,电阻率为2.7×10-3Ω·cm,载流子浓度为1.07×1020 cm-3,可见光区平均透过率为75.3％.

关键词：MOCVD、ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜、射频磁控溅射、退火温度

所属期刊栏目：33

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60976010,61006006;国家"973"计划2011CB302005

在线出版日期：2012-12-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：934-938