SiO2纳米颗粒对 a-AlGaN 金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响

摘要：

采用对a-AlGaN表面沉积SiO2纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属(MSM)结构的a-AlGaN紫外探测器.与没有沉积SiO2纳米颗粒的探测器件相比,沉积SiO2纳米颗粒使器件的暗电流下降了一个数量级,峰值光谱响应度提高了近3个数量级,紫外/可见抑制比大于103.

关键词：SiO2纳米颗粒、a-AlGaN、MSM紫外探测器

所属期刊栏目：33

分类号：O472.8(半导体物理学)

资助基金：国家基础研究发展计划2011CB301901;国家自然科学基金51072196,51072195;863计划2011AA03A111

在线出版日期：2012-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：879-882