电子束辐照对 GaN 基 LED 发光性能的影响

摘要：

研究了不同能量的电子束辐照对GaN基发光二极管(Light emitting diode,LED)发光性能的影响.利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaN基LED外延片进行1.5,3.0,4.5 MeV电子束辐照实验,并应用光致发光(Photoluminescence,PL)谱测试发光性能.结果表明:在1.5 MeV电子束辐照下,采用10 kGy剂量辐照时,LED的发光强度增加约25％；而在100 kGy剂量辐照时,LED的发光强度降低约16％.3 MeV的电子束辐照可使原来色纯度不高的LED的色纯度变好,而更高能量的辐照将会引起器件失效.

关键词：电子束辐照、LED、发光性能、氮化镓

所属期刊栏目：33

分类号：TN305.94(半导体技术)

资助基金：国家863计划2010AA03A1A7;天津市科研院所技术开发工作扶持经费项目FC2010001

在线出版日期：2012-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：869-872