温度对p-InN薄膜光电导灵敏度的影响

摘要：

研究了p型InN的光电导效应.利用分子束外延技术(MBE)法生长出高质量的InN薄膜,在此基础上利用Mg掺杂获得了p-InN.原位反射高能电子衍射(RHEED)表明样品在生长过程中保持二维生长模式,原子力显微镜(AFM)测试结果显示台阶流的生长模式.实验发现,p型InN的光电导灵敏度随温度的升高而降低.其主要原因是当温度升高时,光生载流子浓度降低和样品背景浓度升高共同造成的.

关键词：分子束外延、原位反射高能电子衍射、Mg掺杂p-InN、光电导灵敏度

所属期刊栏目：33

分类号：O472.3(半导体物理学)

在线出版日期：2012-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：785-789