退火温度对富硅氮化硅薄膜发光特性和结构的影响

摘要：

采用直流等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在(100)单晶硅片表面生长富硅氮化硅薄膜,研究了不同的退火温度对氮化硅薄膜发光性质和结构的影响.研究发现,随着退火温度的升高,氮化硅薄膜的发光强度逐渐减弱,发光是由缺陷能级引起的,在900℃时荧光基本消失.XPS测试表明,在N2氛围900℃下退火,氮化硅薄膜中未有硅相析出,故未表现出硅量子点的发光.FTIR测试也为PL结论提供了一定的证据.

关键词：氮化硅、PECVD、光致发光、硅悬挂键、硅纳米团簇

所属期刊栏目：33

分类号：O484.4;TN15(固体物理学)

资助基金：江苏科技厅工业支撑项目BE2008125

在线出版日期：2012-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：780-784