氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究

摘要：

采用热扩散方法,对AlN薄膜进行了Si掺杂.利用电子能量散射谱(EDS)以及高温变温电导对薄膜进行了分析.EDS测试结果表明:在1250℃的温度下,氮化硅(SiNx)作为Si的扩散源,可以实现对AlN薄膜的Si热扩散掺杂.高温电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)测试表明:在460℃测试温度下,AlN薄膜在热扩散掺杂以后,其电导从1.9×10-3S·m-1增加到2.1×10-2S·m-1.高温变温电导测试表明:氮空位(V3+N)和Si在AlN中的激活能为1.03eV和0.45eV.

关键词：杂质、氮化物、热扩散

所属期刊栏目：33

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金51072196,51072195

在线出版日期：2012-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：768-773