氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究
采用热扩散方法,对AlN薄膜进行了Si掺杂.利用电子能量散射谱(EDS)以及高温变温电导对薄膜进行了分析.EDS测试结果表明:在1250℃的温度下,氮化硅(SiNx)作为Si的扩散源,可以实现对AlN薄膜的Si热扩散掺杂.高温电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)测试表明:在460℃测试温度下,AlN薄膜在热扩散掺杂以后,其电导从1.9×10-3S·m-1增加到2.1×10-2S·m-1.高温变温电导测试表明:氮空位(V3+N)和Si在AlN中的激活能为1.03eV和0.45eV.
杂质、氮化物、热扩散
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O484.1(固体物理学)
国家自然科学基金51072196,51072195
2012-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
768-773