树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3788/fgxb20123307.0760

树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能

引用
用一种低成本的方法制备出了树形结构Si/ZnO纳米线阵列.首先在室温条件下用金属辅助化学腐蚀法在Si(100)衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都很均匀,通过改变腐蚀时间,能够得到高度不同的Si纳米线阵列.利用磁控溅射在Si纳米线表面制备一层ZnO薄膜,然后利用水热法在Si纳米线阵列上生长了ZnO纳米线.通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)和光致发光(PL)测试对样品进行了表征.通过这种方法制备的Si/ZnO复合结构在太阳能电池、光催化等领域有潜在应用价值.

ZnO、Si、金属辅助化学腐蚀、水热法、纳米线阵列

33

O484.4(固体物理学)

国家自然科学基金21101146;国家"973"计划2011CB302004

2012-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

760-763

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

发光学报

1000-7032

22-1116/O4

33

2012,33(7)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn