树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能
用一种低成本的方法制备出了树形结构Si/ZnO纳米线阵列.首先在室温条件下用金属辅助化学腐蚀法在Si(100)衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都很均匀,通过改变腐蚀时间,能够得到高度不同的Si纳米线阵列.利用磁控溅射在Si纳米线表面制备一层ZnO薄膜,然后利用水热法在Si纳米线阵列上生长了ZnO纳米线.通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)和光致发光(PL)测试对样品进行了表征.通过这种方法制备的Si/ZnO复合结构在太阳能电池、光催化等领域有潜在应用价值.
ZnO、Si、金属辅助化学腐蚀、水热法、纳米线阵列
33
O484.4(固体物理学)
国家自然科学基金21101146;国家"973"计划2011CB302004
2012-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
760-763