MOCVD法生长ZnO薄膜时氧源t-BuOH和H2O的比较研究

摘要：

以活性较低的叔丁醇( t-BuOH)和水(H2O)作为氧源,采用MOCVD技术生长了ZnO薄膜.研究发现,t-BuOH作为氧源可以有效地抑制其与锌源之间的气相预反应,比H2O作为氧源进行ZnO薄膜的外延生长具有更高的生长速率,得到的ZnO薄膜晶体质量更优,同时载流子的迁移率可以达到37.0 cm2·V-1·s-1,表明t-BuOH更适合作为氧源通过MOCVD系统生长ZnO薄膜.

关键词：ZnO、MOCVD、氧源、t-BuOH

所属期刊栏目：33

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61025020,60990312;国家"973"计划2011CB302003;江苏省自然科学基金SBK201121728

在线出版日期：2012-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：665-668