1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性

摘要：

:研究了1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器厘米bar模块的温度特性,测试分析了该模块的输出光功率、阈值电流、转换效率和光谱随注入电流及管芯温度变化的特性.结果表明,器件在15～55℃范围内所测的输出光功率由40.7W降低到29.4W,阈值电流由9.29 A升高到17.24 A,转换效率由54.22％降低到37.55％,光谱漂移为0.37 nm/℃,特征温度为68.6 K.实验结果表明,为保持器件性能的稳定,在实际应用过程中应该使器件的温度控制在15～ 25℃范围内.

关键词：半导体激光器、1.06μm、阈值电流、温度特性

所属期刊栏目：33

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金61107054;吉林省科技发展计划201201124

在线出版日期：2012-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：647-650