非等温模型下LED芯片性能与衬底的关系
发光二极管(LED)中载流子的输运及复合决定了其非均匀的内热源强度及分布,而芯片温度又影响载流子的输运及复合,两者具有强烈的耦合关系.本文利用非等温多物理场耦合模型对以蓝宝石、Si及SiC为衬底的LED芯片的内量子效率、光谱特性及光电转换效率进行了系统研究.结果表明:以SiC为衬底的LED芯片具有最小的效率下垂效应(Efficiency droop)及最高的光谱强度和光电转换效率.这是因为与其他两种衬底的LED芯片相比,以SiC为衬底的LED芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下降.
发光二极管、内量子效率、衬底、温度场
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TN312.8(半导体技术)
国家自然科学基金-广东省联合重点基金U1034004;国家杰出青年基金50825603;中央高校基本科研业务费专项资金11ZG01
2012-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
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