AlN插入层对α-AlGaN的外延生长的影响

摘要：

采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)在r面蓝宝石村底上生长α-AlGaN外延膜,研究了AlN插入层对 α-AlGaN外延膜的应力和光学性质的影响.根据高分辨X射线衍射(HRXRD)技术和扫描电子显微镜( SEM)我们可以得到,AlN插入层有效地提高了a-AlGaN外延膜的晶体质量并减小了外延膜材料结构的各向异性.由拉曼光谱得到MlN插入层的引入减小了a-AlGaN外延膜的面内压应力,其原因是AlN插入层可以当作衬底有效的调制与减小α-AlGaN外延膜与r面蓝宝石村底的晶格失配,从而使α-AlGaN的面内应力得到适当释放.对室温下的光致发光进行测量得到AlN插入层的使用使近带边发射峰(NBE)发生了红移,这可能是由于残余应力的减小引起.

关键词：α-AlGaN、AlN插入层、应力、拉曼光谱、光致发光

所属期刊栏目：33

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家基础研究发展计划2011CB301901;国家自然科学基金51072196,51072195,60976011

在线出版日期：2012-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：519-524