MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能

摘要：

采用光辅助金属有机化学汽相沉积( PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO 薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶ As/n-SiC异质结器件.X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性.电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0V,反向击穿电压约为-13 V.正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合.

关键词：As掺杂、p-ZnO/n-SiC、电致发光、金属有机化学汽相沉积

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分类号：O484.1;TN383(固体物理学)

资助基金：国家“973”计划2011CB302005;国家自然科学基金60976010,61006006

在线出版日期：2012-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：514-518