ZnO薄膜近带边紫外发光的研究
用ZnO陶瓷靶,采用脉冲激光沉积(PLD)技术在c-Al2O3衬底上制备了ZnO薄膜.通过不同温度下光致发光(PL)光谱的测量,对样品的紫外发光机理进行研究.在较低温度( 10 K)下的PL光谱中,观测到一个位于3.354 eV处的束缚激子(D0X)发射,随着温度的升高(～50 K),在D0X的高能侧观测到了自由激子的发射峰.在10 K温度下,3.309 eV处出现了一个较强的发光带A,此发光带强度随着温度升高先增大然后减小,并且一直延续到室温.重点讨论了此发光带的起源,并认为A带可归属于自由电子-受主之间的复合发射.
脉冲激光沉积、ZnO薄膜、光致发光
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O472.3;O482.31(半导体物理学)
国家自然科学基金60976036;深圳市科技计划项目;深圳市特种功能材料重点实验室开放基金T201109,T201101
2012-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
481-485
