ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管.电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显.发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响.在低温条件下,栅绝缘层产生钝化,从而能够改善器件的性能.
ZnO/ZnMgO、异质结场效应管、迁移率
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TN386(半导体技术)
国家自然科学基金61025020,60990312;国家“973”计划项目2011CB302003;江苏省自然科学基金SBK201121728
2012-05-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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