标准CMOS工艺载流子注入型三端Si-LED的设计与研制

摘要：

采用无锡华润上华(CSMC)0.5μm标准CMOS工艺,设计并制备了一种新型的高发光功率载流子注入型三端Si-LED器件.该器件在p型衬底上进行n+掺杂,与p衬底形成两个相对的n+p结,其中一个结正向偏置,发出峰值波长在1 100 nm附近的红外光;另一个结同样正偏,作为注入结对发光进行调制.测试结果显示:第三端注入载流子明显增强了总体的发光功率,在10 mA偏置电流、3V调制电压下,可获得1 nW的光功率,与单结相比提高了两个数量级.由于工作电压低,该器件可与目前主流的CMOS工艺共电源单芯片集成,在光电集成领域具有一定的应用前景.

关键词：硅基LED、标准CMOS、发光器件、正向注入发光、光电集成

所属期刊栏目：33

分类号：TN383(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金重点项目61036002

在线出版日期：2012-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：444-448