H掺杂对ZnCoO稀磁半导体薄膜结构及磁性能的影响

摘要：

利用磁控溅射法,采用亚分子分层掺杂技术交替溅射Co靶和ZnO靶,在Si衬底上制备了不同氢氩流量比的H∶ZCO薄膜样品,研究了氢氩流量比对薄膜结构特性和磁学性能的影响.所制备的薄膜样品具有c轴择优取向.由于H对表面和界面处悬挂键的钝化作用,随H2流量比的增加,薄膜的择优取向变差.磁性测量结果显示,薄膜样品的铁磁性随着氢氩流量比的增大而增强.XPS结果表明,随着H含量的增大,金属态Co团簇的相对含量逐渐增加,而氧化态Co离子的相对含量逐渐减小.H∶ZCO样品中的铁磁性可能来源于Co金属团簇,H的掺入促使ZnO中的Co离子还原成Co金属团簇,从而增强了薄膜样品的室温铁磁性.

关键词：磁控溅射法、ZnCoO稀磁半导体、H掺杂、Co金属团簇

所属期刊栏目：33

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60976036;广东省千百十工程项目;深圳市科技计划项目;深圳市特种功能材料重点实验室开放基金T0901,T201101

在线出版日期：2012-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：417-421