MSM结构ZnO/Cu薄膜的接触特性

摘要：

利用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上分别生长了ZnO薄膜和Cu薄膜,用Cu薄膜作电极,研究了ZnO薄膜与Cu薄膜的接触特性.分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和LV测试的方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了测试.结果表明:样品中ZnO薄膜和Cu薄膜均具有高度的择优取向;当Cu和ZnO直接接触时,样品的I-V特性是非线性的;当Cu和ZnO之间通过ZnO∶Cu层间接接触时形成良好的欧姆接触,而且退火后欧姆接触性能明显提高,电阻率降低约2/3.本研究为价格低廉的Cu电极成为ZnO基器件的欧姆电极提供了一定的依据.

关键词：ZnO薄膜、Cu电极、金属-半导体-金属结构、欧姆接触

所属期刊栏目：33

分类号：O472.4;O484.1(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10974077

在线出版日期：2012-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：412-416