N2O Plasma表面处理对SiNx基IGZO-TFT性能的影响

摘要：

采用N2O plasma处理SiNx薄膜作为绝缘层,以室温下沉积的铟镓锌氧化物(IGZO)作为有源层制备了IGZO薄膜晶体管.与常规的IGZO-TFT相比,N2O plasma处理过的IGZO-TFT的迁移率由原来的4.5 cm2·V-1·s-1增加至8.1 cm2·V-1·s-1,阈值电压由原来的11.5V减小至3.2V,亚阈值摆由原来的1.25 V/decade减小至0.9V/decade.采用C-V方法计算了两种器件的陷阱态,结果发现N2O plasma处理过的IGZO-TFT的陷阱态明显小于普通的IGZO-TFT的陷阱态,表明N2O plasma处理SiNx绝缘层是一种改善IGZO-TFT器件性能的有效方法.

关键词：薄膜晶体管、InGaZnO、plasma处理、N2O

所属期刊栏目：33

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：国家863计划2010AA03A337;国家自然科学基金61077013;中国博士后基金2011 M500569

在线出版日期：2012-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：400-403