ITO界面调制层对GZO电极LED器件性能的影响

摘要：

采用磁控溅射制备GZO和具有ITO界面调控层的GZO(ITO/GZO)透明导电薄膜作为大功率LED的电流扩散层,对比研究界面调控层对LED器件性能的影响.研究结果表明,ITO/GZO薄膜的透过率在可见光区达80％以上,退火后的ITO/GZO薄膜有较低的电阻率(1.15×10-3 Ω·cm).ITO调控层的介入能够调制GZO表面粗糙度,有利于改善LED外量子效率,降低GZO/p-GaN界面的接触势垒,提高LED器件的光电性能.通过ITO界面调控后,LED器件20mA驱动电流下的工作电压从9.5V降低为6.8V,发光强度从245 mcd升到297 mcd,提高了20％；驱动电流为35 mA时,其发光强度从340.5 mcd升到511 mcd,提高了50％.

关键词：LED、ITO/GZO薄膜、界面调控层

所属期刊栏目：33

分类号：TN301(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金051072111,50675130;9732011CB013100

在线出版日期：2012-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：210-215