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10.3788/fgxb20123302.0192

发光区插入超薄LiF层对有机电致发光器件性能的影响

引用
着重对比了在以DCM掺杂Alq3为发光层的红光器件的发光区插入超薄LiF层后器件性能的改善.插入超薄LiF层后,器件的最大工作电流密度为487mA/cm2,相应的最大电致发光亮度为76 740 cd/m2,最大外量子效率为5.9%.器件内量子效率为40%,超过了基于有机荧光小分子发光材料的有机电致发光器件的内量子效率的理论极限值25%.对器件内单线态及三线态激子的形成过程进行了分析,并推测:超薄LiF层的插入提高了器件内单线态电荷转移态/三线态电荷转移态的形成比例,进而提高了器件内单线态激子在激子总数中的比例,最终提高了器件的内量子效率.同时,超薄LiF层的插入改变了发光层内局域的内部电场,使器件的外量子效率不仅没有随电流密度的增加而降低,反而非线件增加.

外量子效率、有机荧光、有机电致发光

33

TN383+.1(半导体技术)

吉林省教育厅"十二五"科学技术研究项目;高效率有机太阳能电池研究;长春师范学院自然科研基金349437-01219

2012-04-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

192-196

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发光学报

1000-7032

22-1116/O4

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2012,33(2)

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