(Cu,Al)掺杂ZnO薄膜表面处缺陷的拉曼光谱研究

摘要：

采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法制备了(Cu,Al)掺杂ZnO薄膜,超导量子干涉磁强计测试结果表明,薄膜具有室温的铁磁性.采用激光共聚焦拉曼(Raman)光谱研究了(Cu,Al)掺杂ZnO薄膜的表面特性,以两种处理方式对薄膜进行了Raman光谱测试:共聚焦模式从薄膜表面开始至不同深度处进行测试；对薄膜样品进行预处理加工,采用面扫描模式在薄膜平面对(Cu,Al)掺杂ZnO薄膜的斜面进行测试.分析了Raman光谱A1(LO)峰的中心位置和强度变化,结果表明,界面处晶格应力和缺陷明显增强.这些晶格畸变和点缺陷的存在会对体系的铁磁性有促进作用.

关键词：ZnO、稀磁半导体、界面、拉曼光谱

分类号：O472.5(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金青年基金51002176;中国科学院上海硅酸盐研究所创新基金

在线出版日期：2012-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：109-113