GaN基功率LED电应力老化早期的退化特性
对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 mA电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24h隧穿电流最小,绿光LED到6h隧穿电流最小;同时,两种LED的反向漏电也最小、光通量最大,随后绿光LED的反向漏电增加较快且光通量衰减较快.把热退火效应和电应力下缺陷的产生分别看成正负加速因子,绿光LED的负加速因子的增加速度比蓝光LED大,衰减较快.该结果对GaNLED的改进有一定参考价值.
发光二极管、氮化镓、电应力、I-V特性、光通量
TN364.2(半导体技术)
国家"863"计划2009AA03A1A3;国家科技支撑计划2011BAE01B14
2012-04-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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