LiF超薄层引起的OLEDs发光光谱展宽

摘要：

将LiF插入到发光层Alq3中,制备了有机电致发光器件(OLED),其器件的结构为:ITO/NPB(45 nm)/Alq3(xnm)/LiF(0.3 nm)/Alq3[(45-x)nm]/Al(150 nm).发现器件的电致发光谱(Electroluminescence spectra,EL)有非常明显的展宽现象,这为白光器件的制备提供了一条简单的途径.通过对比LiF在Alq3中不同厚度处的发光谱,发现在x=10时谱线展宽最显著,器件最大亮度在22 V时达到8 260 cd/m2,最大效率可达4.83 cd/A,并对其光谱展宽的机理及器件特性进行了分析.

关键词：有机电致发光器件、光谱展宽、LiF、激子

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：山东省自然科学基金zR2010 FQ006;山东省科技计划项目J08L165;泰山学院科学基金Y07-2-03

在线出版日期：2012-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：72-76