组份变化的InGaAsSb/AIGaAsSb多量子阱结构对其X射线衍射及发光性质的影响

摘要：

通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性.X射线双晶衍射谱中出现了8条卫星峰,表明制备的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构具有良好的结晶质量.利用光致发光光谱方法对制备的样品的光学性质进行了表征,结果表明,不同组份的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱的发光峰波长随组份的变化在1.6～2.28 μm范围内可调,样品PL谱的半峰宽最窄可达22 meV.

关键词：GaSb衬底、InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构、X射线双晶衍射、发光性质

分类号：TN248.1(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2012-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：68-71