GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性

摘要：

制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构紫外探测器,并测量了其暗电流和光谱响应.通过分析其暗电流,发现在反偏情况下,其主要电流输运机制为隧穿复合机制；在正偏情况下,随着偏压的增大,电流输运机制从隧穿机制变为空间电荷限制电流机制.光谱响应测试结果显示,该探测器在-SV的偏压下,在315 nm处获得了最大响应度170 mA/W,探测度为2.3×1012 cm·Hz1/2·W-1.此外,还研究了不同厚度1层对器件光电压的影响,结果表明,光电压受隧穿机制与漏电流机制的共同制约.

关键词：氮化镓、氮化硅、探测器、电流输运机制

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金51072196,51072195

在线出版日期：2012-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：55-61