Al3+对Ge/Al-SiO2薄膜光致发光的影响

摘要：

采用磁控溅射及后退火技术制备了不同组份和不同退火温度的Ge、Al共掺SiO2薄膜.通过对样品的X射线光电子能谱(XPS)测试,确定了薄膜的成分和结构特征；同时还测试了样品的光致发光谱(PL谱),得到了峰值位于420 nm附近的紫光发射峰和峰值位于470 nm的蓝光发射峰.实验结果表明,Al的掺杂不仅可以显著地提高GeNOV中心和SiNOV中心的光发射效率,还可以促进GeNOV缺陷和SiNOV缺陷中心的形成,进而有利于薄膜的光致发光.

关键词：光致发光、Ce/Al-SiO2薄膜、缺陷中心、磁控溅射

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：福建省自然科学基金2009J01291

在线出版日期：2012-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：32-35