半导体激光器腔面增透膜AIN薄膜的制备
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3788/fgxb20113212.1292

半导体激光器腔面增透膜AIN薄膜的制备

引用
提出了一种新的半导体激光器增透膜——A1N膜,并用matlab软件模拟分析了不同腔面反射率对激光器输出功率的影响,得到激光器最大输出功率时前后腔面的反射率的最佳值.采用反应磁控溅射技术,利用高纯铝靶(99.999%)和N2+ Ar的混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜.利用Filmetrics系统对薄膜进行光学性能测试,分析了不同工艺参数对薄膜沉积速率和折射率的影响.将最优条件下制得的AlN单层增透膜用于半导体激光器上,光学灾变损伤阈值和器件输出功率都得到了很大的提高.

增透膜、折射率、溅射、灾变性光学损伤

32

TN248.4(光电子技术、激光技术)

2012-03-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

1292-1296

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

发光学报

1000-7032

22-1116/O4

32

2011,32(12)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn