薄膜热处理对ZnO薄膜晶体管性能的提高

摘要：

制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层.与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/(V·s)增大至3.12 cm2/(V·s),阈值电压由20.8V减小至9.9V,亚阈值摆幅由2.6 V/dec减小至1.9 V/dec.25 V直流电压施加3600s后,未退火器件的阈值电压变化达到8V,而退火处理的器件的阈值电压变化仅为3.4V.实验结果表明,对有源层退火处理有利于提升ZnO-TFT器件的电学性能和偏压稳定性.

关键词：薄膜晶体管、ZnO、稳定性、退火

所属期刊栏目：32

分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：国家863计划2010AA03A337;上海市科委09DZ2292901

在线出版日期：2012-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1281-1285