p层厚度对Si基GaN垂直结构LED出光的影响

摘要：

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的InGaN/GaN蓝光LED薄膜并制备成垂直结构发光二极管(VLEDs),研究了 p层厚度即p面金属反射镜与量子阱层的间距对LED出光效率的影响,并采用F-P干涉模型进行了理论分析.结果显示,光提取效率受d影响很大,随d的增加呈现类似阻尼振动的变化趋势,分别在0.73λn处和1.01λn处取得第一个极大值和极小值,且前者是后者两倍多.因此优化p层厚度可以有效提高LED的出光效率.

关键词：LED、GaN、垂直结构、出光、p层厚度

所属期刊栏目：32

分类号：TN312+.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金51072076,61040060;国家高技术研究发展“863”计划2009AA03A199项目;教育部长江学者和创新团队发展计划IRT0730资助的项目

在线出版日期：2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1069-1073