光/电激发方式对AlGaInP及GaN基LED电学特性的影响
采用光激励与电激励的方式对AlGaInP与InGaN/GaN基LED的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异.探讨了影响LED理想因子的因素,确定理想因子的适宜注入强度范围.研究结果表明:结温与注入强度是影响LED理想因子的重要因素；对于特定类型的发光二极管,空间电荷区起主导作用时对应的注入强度范围内能够获得反映器件性能的LED理想因子.LED的理想因子与光激励或者电激励方式无关,因而光激励能够代替电激励对LED电学特性及理想因子进行非接触检测.
理想因子、发光二极管(LED)、光激励、电激励、结温
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TN312+.8(半导体技术)
国家自然科学基金61006053,60676031;重庆市科委自然科学基金计划CSTC,2008BB3156;重庆市科技攻关CSTC,2009 AC4186
2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
1057-1063
