MOCVD法制备Cu掺杂ZnO薄膜
通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,在c-Al2 03衬底上生长本征和Cu掺杂ZnO( ZnO∶ Cu)薄膜.X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶ Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长.X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中.利用光致发光(PL)测试对本征ZnO和ZnO∶ Cu进行室温和低温PL测试,在ZnO∶ Cu样品的低温PL谱中观察到一个强度很强、范围很广的蓝紫光发射峰(Blue-violet 发射峰,BV发射峰),范围在2.8～3.3 eV之间,又进一步通过变温PL测试发现随着温度的升高,BV发射峰峰位发生红移,且80 K时BV发射峰高能边出现自由电子向受主能级(eA0)的跃迁发光,并计算了Cu受主离化能.
Cu掺杂ZnO、MOCVD、蓝紫光发射峰、光致发光
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O472.3;O482.31(半导体物理学)
国家自然科学基金60976010,10804040,10804014,60877020,11004020,601706045;大连理工大学基本科研业务费DUT11 LK43;辽宁省博士启动基金20081081
2012-02-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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