快速热退火对Co/Si0.85Geo.15肖特基结电学特性的影响

摘要：

用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜.在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理(RTA),对处理后的样品进行了表面形貌和电学测量.发现退火温度升高,样品表面粗糙度变大,理想因子也变大,但对肖特基势垒高度(SBH)的影响很小.分析认为,随着退火温度的升高,金属/半导体界面缺陷态密度的增加是造成理想因子变大的主要原因.界面态对费米能级的“钉扎”以及固相反应生成锗硅化钴与Co的功函数大致相同,是SBH基本不随温度变化的主要因素.

关键词：快热退火、肖特基结、肖特基势垒高度、电学特性

所属期刊栏目：32

分类号：O472.4(半导体物理学)

在线出版日期：2012-02-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：924-928